硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下：

2）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對開關電壓要求不盡相同：

• 要求開通電壓較高22V~15V；

• 要求關斷電壓較高-5V~-3V；

• 優先穩負壓，保證關斷電壓穩定；

• 增加負壓鉗位電路，保證關斷時候負壓不超標。

       開關器件在運行過程中存在短路風險，配置合適的短路保護電路，可以有效減少開關器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受時間更短。

      硅IGBT的承受退保和短路的時間一般大于10μs，在設計硅IGBT的短路保護電路時，建議將短路保護的檢測延時和相應時間設置在5-8μs較為合適。

2）碳化硅MOSFET

一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs，要求短路保護在3μs以內起作用。采用二極管或電阻串檢測短路，短路保護最短時間限制在1.5μs左右。

在高壓大電流條件下進行開關動作時，器件開關會產生高dv/dt及di/dt，對驅動器電路產生影響，提高驅動電路的抗干擾能力對系統可靠運行至關重要，可通過以下方式實現：

• 輸入電源加入共模扼流圈及濾波電感，減小驅動器EMI對低壓電源的干擾；

• 次邊電源整流部分加入低通濾波器，降低驅動器對高壓側的干擾；

• 采用共?？箶_能力達到100kV/μs的隔離芯片進行信號傳輸；

• 采用優化的隔離變壓器設計，原邊與次邊采用屏蔽層，減小相互間串擾；

• 米勒鉗位，防止同橋臂管子開關影響。

2）低傳輸延遲

通常情況下，硅IGBT的應用開關頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅動器提供更低的信號延遲時間。碳化硅MOSFET驅動信號傳輸延遲需小于200ns，傳輸延遲抖動小于20ns，可通過以下方式實現：

• 采用數字隔離驅動芯片，可以達到信號傳輸延遲50ns，并且具有比較高的一致性，傳輸抖動小于5ns；

• 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片。

       總之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅MOSFET更好的在系統中應用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅動。

接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅動產品

碳化硅驅動

1、半橋兩并聯功率單元